[전자계산기구조] 플래시 메모리(Flash Memory)
[전자계산기구조] 플래시 메모리(Flash Memory)
전원이 끊켜도 저장된 데이터를 보존하는 롬(ROM)의 장점과 정보의 입출력이 자유로운 램(RAM)의 장점을 동시에 지닌 반도체소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 가진다.
계속해서 전원이 공급되는 비휘발성 메모리로, DRAM과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있을 뿐 아니라 정보의 입출력도 자유로워
디지털텔레비전, 디지털캠코더, 휴대전화, 디카, 게임, MP3등 널리 이용 된다.
종류는 크게 저장 용량이 큰 데이터저장형(NAND)과 처리속도가 빠른 코드저장형(NOR)의 2가지로 분류됩니다.
플레시 메모리(Flash Memory) 종류 및 특징
EPROM의 입력방식과 EEPROM의 소거방법의 장점을 결합한 것이 주요 특징이며, 플래시 메모리는 지우기의 한계가 있습니다.플래시 메모리는 EEPROM의 한 종류지만 EEPROM과는 달리 블록 단위로 데이터를 기록할 수 있다.
- EPROM(Erasable PROM) : 저장되어 있는 데이터를 지우고 쓸 수 있는 ROM입니다.
데이터를 지우는 방법에 따라 다시 EEPROM, UVEPROM 으로 분류됩니다. - EEPROM(Electrically Erasable PROM) : 고전압으로 데이터를 지우고, 삭제된 공간에 데이터를 다시 기록할 수 있는 메모리 입니다. 지우는 속도가 느립니다.
- UVEPROM(ultra-violet EPROM) : 자외선을 이용하여 데이터를 지웁니다.
노어 플래시(NOR Flash)
주로 핸드폰 메모리에 사용된다.단가가 높음
바이트나 워드 단위로 읽기/쓰기가 가능하고 덮어쓰기와 지우기는 임의 접근할 수 없음
읽기 속도는 빠르나, 데이터를 지우거나 덮어쓰기할 때 랜덤엑세스가 불가능해서 속도가 느림
낸드 플래시(NAND Flash)
대용량화가 쉽지만 속도는 느리다하드 디스크와 가장 유사한 특성을 보임
read와 write가 페이지 단위로 수행된다.
지우기(erase)가 블록 단위(페이지 보단 큰 단위)로 수행된다.
overwrite를 하기 위해서는 erase가 먼저 선행되어야 한다.
크기가 작고 단가가 저렴하고, 대용량 저장이 가능
NOR Flash와 반대로 데이터를 읽을 때 랜덤엑세스가 불가능해 속도가 느리고, 쓰기/지우기 속도는 빠름
MP3플레이어, 인터넷폰, 디카 등 정보통신기기의 메모리로 사용된다.
출처
댓글
댓글 쓰기